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(1.5.5)--5.1.3BJT伏安特性曲线.pptVIP

(1.5.5)--5.1.3BJT伏安特性曲线.ppt

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    BJT伏安特性曲线

    输入特性曲线（以共射极放大电路为例）共射极连接

    输入特性曲线（以共射极放大电路为例）0102当vCE=0V时相当于发射结的正向伏安特性曲线。当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。iB=f(vBE)?vCE=const

    输出特性曲线iC=f(vCE)?iB=const输出特性曲线的三个区域:饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。

    输出特性曲线iC=f(vCE)?iB=const输出特性曲线的三个区域:截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压。

    输出特性曲线iC=f(vCE)?iB=const输出特性曲线的三个区域:放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。

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