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本申请提供了基于MEMS工艺的微半球谐振陀螺及其制造方法。该基于MEMS工艺的微半球谐振陀螺包括敏感结构和电极。敏感结构呈现为半球形球壳，电极限定出半球形的凹陷。敏感结构位于电极限定出的半球形的凹陷中，敏感结构和电极之间具有间隙。其制造方法包括：提供基片作为敏感结构层，在敏感结构层上设置牺牲层；提供另外的基片作为电极层，刻蚀电极层以形成中心锚点和周部；在电极层刻蚀出凹坑，键合敏感结构层和电极层，使得牺牲层位于凹坑中，中心锚点连接于敏感结构层；提供具有半球形凸出结构的模具，加热使敏感结构层、牺牲层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117190995A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311131408.8
(22)申请日2023.09.04
(71)申请人清华大学
地址100084
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