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均匀的原位清洗和沉积.pdfVIP

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    示例性半导体处理系统可包括限定至少一个等离子体出口的输出歧管。系统可包括设置在输出歧管下方的气箱。气箱可包括面向输出歧管的入口侧和与入口侧相对的出口侧。气箱可包括限定中心流体管腔的内壁。内壁可从入口侧到出口侧向外逐渐变细。系统可包括设置在气箱下方的环形间隔件。环形间隔件的内径可大于中心流体管腔的最大内径。系统可包括设置在环形间隔件下方的面板。面板可限定延伸穿过面板厚度的多个孔。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117203749A

    (43)申请公布日2023.12.08

    (21)申请号202280030924.9A·A·哈贾S·M·博贝克

    (22)申请日2022

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