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- 2023-12-09 发布于四川
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本申请提供了一种半导体器件、电子芯片和电子设备，不仅实现了外延层的压应力与张应力的均衡，避免外延层开裂，也减少了外延层的缺陷，进而提高半导体器件的可靠性，延长半导体器件的寿命。半导体器件可以包括层叠设置的衬底、第一缓冲层、第二缓冲层和沟道层。其中，第一缓冲层包括层叠设置的至少两层第一子缓冲层，至少两层第一子缓冲层之间层叠设置第二子缓冲层。至少两层第一子缓冲层分别采用第一材料，第二子缓冲层采用第二材料。第一材料所含的元素和第二材料所含元素不完全相同。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117199122A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202210578786.XH05K1/18(2006.01)
(22)申请日2022.05.2
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