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本申请实施例涉及一种晶圆背面工艺的监测方法以及监测晶圆的制备方法,包括:提供待处理的监测晶圆;对待处理的监测晶圆执行背面工艺,以得到监测晶圆;背面工艺包括形成背面金属层,背面金属层与待处理的监测晶圆的接触处形成有刺入待处理的监测晶圆的突刺结构;对待处理的监测晶圆执行的背面工艺与对产品晶圆执行的背面工艺部分或全部相同,且对于部分相同的情况,至少包括形成背面金属层在内的部分背面工艺相同;剥离背面金属层,暴露出突刺结构;检测突刺结构的形貌参数,将形貌参数与预设范围进行比较,根据比较结果判断对产品晶圆执
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117198915A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311466003.X
(22)申请日2023.11.07
(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司
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