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- 2023-12-09 发布于四川
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本实用新型公开了一种多芯片串联的IGBT模块封装结构,涉及功率半导体器件封装技术领域,解决了现有IGBT模块的散热效果不佳,及布线复杂、易形成电路杂散电感,容易影响IGBT模块的工作性能的技术问题。该装置包括覆铜陶瓷基板DBC、连接端子和多个芯片组件;覆铜陶瓷基板DBC包括第一基板和第二基板;第一基板通过连接端子与第二基板相连接,形成U形结构,用于封装多个芯片组件;多个芯片组件均固定在覆铜陶瓷基板DBC上。本实用新型通过连接端子连接第一基板、第二基板,形成U形结构用以封装多个芯片组件,通过第一基
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220155541U
(45)授权公告日2023.12.08
(21)申请号202321662205.7H01L23/367(2006.01)
(22)申请日2023.06
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