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一种具有分段式ESD的MOSFET及制备方法.pdfVIP

一种具有分段式ESD的MOSFET及制备方法.pdf

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    本发明提供一种具有分段式ESD的MOSFET及制备方法，该MOSFET包括：多个ESD保护装置；多个所述ESD保护装置位于栅极和源极之间。本发明将长条状的集成ESD保护装置分割成分段式ESD保护装置(可以设置每个ESD的能力)，从而在后续对功率器件的ESD能力进行修改的时候，只需要修改ESD保护装置与金属层之间的连接，在需要较大的静电防护时接入多的ESD保护装置，在静电效应小的时候接入少的ESD保护装置，就能达到修改ESD能力的要求，大大的减小了流片成本。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117199069A

    (43)申请公布日2023.12.08

    (21)申请号202311062502.2

    (22)申请日2023.08.21

    (71)申请人天狼芯半导体（成都）有限公司

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