高考理科综合化学 第11章 第3节 真题.docxVIP

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高考理科综合化学 第11章 第3节 真题.docx

第十一章 第三节

真题体验·直击高考

【全国卷真题体验】

1.(2016·全国卷Ⅰ,37节选)锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题:

Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、三键,但Ge原子之间难以形成双键或三键。从原子结构角度分析,原因是 。

比较下列锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因:

。

GeCl

GeCl

4

熔点/℃

-49.5

GeBr

26

4

GeI

4

146

沸点/℃

83.1

186

约400

Ge单晶具有金刚石型结构,其中Ge原子的杂化方式为 ,微粒之间存在的作用力是 。

晶胞有两个基本要素:

①原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置。下图为Ge单晶的晶胞,其中原子1 1 1 1

坐标参数A为(0,0,0;)B为 ,0, ;C为 ,,0。则D原子的坐标参数为 。

2 2 2 2

②晶胞参数,描述晶胞的大小和形状。已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76pm,其密度为 g·cm-3(列出计算式即可)。

【答案】(1)Ge原子半径大,原子间形成的σ单键较长,p-p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键

(2)GeCl、GeBr

4

、GeI

4 4

的熔、沸点依次升高。原因是分子结构相似,相对分子质量依

次增大,分子间相互作用力逐渐增强(3)

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