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MiP芯片及制备方法、红光LED芯片及制备方法、显示装置.pdfVIP

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  • 2023-12-09 发布于四川
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MiP芯片及制备方法、红光LED芯片及制备方法、显示装置.pdf

    本发明提供了一种MiP芯片，包括：第一支撑结构与MIP芯片结构；MIP芯片结构包括：若干像素阻挡墙与第一像素组；若干像素阻挡墙沿第一方向排列；第一像素组包括：红光、绿光以及蓝光像素单元；其中，红光像素单元包括：第一彩膜层、第一色转换层以及第一LED芯片；绿光像素单元包括：第二彩膜层、第一结构层以及第二LED芯片；蓝光像素单元包括：第三彩膜层、第二结构层以及第一LED芯片；其中，第一支撑结构包裹MIP芯片结构；解决了因巨量转移过程次数过多造成的良率损失，以及传统红光microLED芯片中存在的出光

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117199100A

    (43)申请公布日2023.12.08

    (21)申请号202311113406.6

    (22)申请日2023.08.30

    (71)申请人东莞市日昇光电有

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