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本公开涉及一种可以容易地传输基板内的深位置处的电荷的半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备。所述半导体装置包括：光电转换部，其根据接收光量生成电荷；和传输晶体管，其将所述光电转换部的电荷传输到预定的电荷累积部，其中所述传输晶体管具有纵型栅电极，所述纵型栅电极包括埋入在半导体基板的内部的埋入电极部，和所述埋入电极部包括上部埋入电极和下部埋入电极，所述下部埋入电极相对于所述上部埋入电极配置在基板深部侧，并且形成为在平面图中的电极面积大于所述上部埋入电极的电极面积。本公开可以适用于例如其中每个像素
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117203769A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202280030557.2(74)专利代理机构北京信慧永光知识产权代理
(22)申请日2022.05.
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