一种高致密氧化铟掺杂铈钛钽靶材的制备方法.pdfVIP

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2023-12-09 发布于四川
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一种高致密氧化铟掺杂铈钛钽靶材的制备方法.pdf

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本发明属于半导体及氧化物靶材技术领域，公开了一种高致密氧化铟掺杂铈钛钽靶材的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：将TiO2、Ta2O5、CeO2、In2O3粉末与分散剂、粘结剂和去离子水加入到球磨罐中进行湿法球磨，得到混合浆料；将混合浆料经干燥、粉碎、过筛，然后在空气气氛及600～800℃温度下煅烧处理，压制成型，得到靶坯；再将靶坯放入真空设备中进行抽真空处理和充氧处理至压力为60～100KPa，将处理后的靶材升温至1450～1500℃进行烧结处理，得到高致密氧化铟掺杂铈钛钽靶材。本发明通过在烧

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117185779A

(43)申请公布日2023.12.08

(21)申请号202311126802.2

(22)申请日2023.09.04

(71)申请人先导薄膜材料（广

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