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本申请公开了一种量子点薄膜图案化的方法及量子点薄膜，方法包括在衬底表面涂布多层光刻胶层和parylene层，其中，相邻光刻胶层之间涂布有一层parylene层；曝光多层光刻胶层；显影位于最外层的光刻胶层；刻蚀位于最外层的parylene层；重复上述步骤，直至所有光刻胶层和parylene层上均形成镂空图案；在衬底表面涂布量子点层；剥离光刻胶层，得到图案化的量子点薄膜。本申请能避免量子点层涂覆在镂空图案的侧面，保证位于最外侧光刻胶层表面的量子点层和位于衬底表面的量子点层分离；在剥离时不会导致量子点
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117192910A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311158173.1G03F7/34(2006.01)
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