仿神经元突触RRAM的制备与研究.docxVIP

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西安交通大学本科毕业设计（论文）

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摘要

忆阻器（RRAM）被认为是新一代固体存储的核心技术。为打破当下出现阻碍的冯诺依曼结构，需利用忆阻器其类似神经元突触权重在神经脉冲信号刺激下发生变化的特性，根据电流改变自身阻值完成类脑计算。因此本次着重针对忆阻器的制备及电学特性开展研究。目的是寻找器件所能具有的优良的电学性能及其对应的制备方式。这项工作具有能够推动未来固体存储技术发展的深远意义。

本文先对研究方向进行确定，将忆阻器阻变层厚度、顶部电极材料、氧气氛围三个因素作为变量进行实验设置。接下来介绍并结合使用磁控溅射法、光刻法及Shadowmas