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单壁纳米碳管薄膜的制备及其场发射性能研究的开题报告

一、选题背景

单壁纳米碳管(single-walledcarbonnanotubes,SWCNTs)具有良好的电学、光学性能以及机械性能等，因此在电子学、光电子学、传感器、生物医学等领域有着广泛的应用前景。而SWCNTs的场发射性能也是其重要的一个应用方向，可以应用于场发射显示、电子发射器件等领域。

当前，制备SWCNTs薄膜的方法主要有干法沉积、液相垂直沉积、浮游法、旋涂法等。其中，干法沉积是制备高质量、大面积SWCNTs薄膜的主要方法，但其制备过程必须严格控制温度、气氛、气压等参数，且由于浓度、对溶剂的纯度、热解工艺等因素的影响，制备高质量的SWCNTs薄膜仍然存在一定难度。

因此，本研究拟通过干法沉积方法制备SWCNTs薄膜，并对其场发射性能进行研究，旨在提高SWCNTs薄膜的质量和制备效率，拓展其在场发射器件等领域的应用。

二、研究目的和内容

1.研究SWCNTs质量对干法沉积制备的薄膜质量的影响；

2.优化SWCNTs干法沉积工艺，提高薄膜的制备效率和质量；

3.系统研究SWCNTs薄膜的场发射性能，分析其与薄膜质量、沉积工艺等因素的关系。

三、研究计划

1.文献阅读与理论研究，深入了解SWCNTs干法沉积制备及其场发射性能研究的最新进展；

2.实验室制备SWCNTs薄膜，探究其对SWCNTs质量的要求；

3.改进干法沉积工艺，优化制备薄膜的过程；

4.测量SWCNTs薄膜的电学性能和场发射性能，分析其与SWCNTs质量、沉积工艺等因素的关系；

5.结合实验结果，提出改进SWCNTs干法沉积工艺、提高薄膜质量和制备效率的建议。

四、研究意义及预期成果

本研究将提高SWCNTs薄膜的制备效率和质量，拓展其在场发射器件等领域的应用。同时，对于深入了解SWCNTs的基本物理特性、研究纳米材料的制备和性能优化，都具有重要的参考和借鉴意义。

预期成果：制备高质量的SWCNTs薄膜，并且系统研究其场发射性能与薄膜质量、沉积工艺之间的关系，为SWCNTs薄膜的制备和应用提供理论依据和实验基础。