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2023-12-13 发布于四川
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一种解决光学临近效应的方法.pdf

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本公开提供一种解决光学临近效应的方法，涉及集成电路领域，包括以下步骤：对晶圆在HDMS烘箱内进行预处理，其中烘箱温度120~170℃，烘箱内保持时间360~720s；选取光刻胶厚度0.7~2.8um，分辨率≤0.5um的光刻胶旋涂于晶圆上；前烘，以使光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度90℃~150℃，前烘时间60s~120s；通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，曝光距离0~20um、真空接触真空度700~1000mbar，曝光光源为I/G/H线占比50%~100%

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117219495A

(43)申请公布日2023.12.12

(21)申请号202311469556.0

(22)申请日2023.11.07

(71)申请人北京晨晶电子有限公司

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