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本发明涉及光催化剂领域，特别涉及一种CdS基光催化剂、制备方法及应用，该CdS基光催化剂包括CdS纳米片以及负载于所述CdS纳米片表面的NiS，所述NiS的质量分数为5‑15wt％，所述NiS优选为α‑NiS。本发明的CdS基光催化剂，有效的降低光生电子‑空穴对的复合率，促进光催化反应的进行，使用了NiS替代了传统贵金属负载催化剂，降低了生产成本，能够在海水中保持较高的催化效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117205945A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202310947363.5
(22)申请日2023.07.31
(71)申请人嘉兴南湖学院
地址314001
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