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电子科技大学微电子器件习题(1).docxVIP

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  • 2023-12-15 发布于河北
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电子科技大学微电子器件习题(1).docx

    电子科技大学微电子器件习题

    RevisedbyLiuJingonJanuary12,2021

    第二章PN结

    填空题

    1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3，则室温下该区的

    平衡多子浓度p与平衡少子浓度n分别为(

    p0p0

    )和(

    )。

    2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带(

    )电荷，N区一侧带(

    )电

    荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。

    3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。由此方

    程可以看出，掺

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