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本发明属于电介质储能材料技术领域，公开了一种复合电介质薄膜材料及其制备方法和应用。该电介质薄膜材料包括基体和填料，基体为铁电聚合物，填料为二维SnS2纳米片，在复合电介质薄膜材料中，填料的质量百分数为0.1～1wt％，实现了铁电聚合物基体的介电常数、击穿场强和储能密度的显著提升。还可选择表面修饰后的二维SnS2纳米片作为填料可以有效改善纳米填料在聚合物基体中的团聚现象，在较低的填料浓度下实现较高的击穿场强和储能密度，在固态电介质储能电容器中具有良好的应用前景。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117219438A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202311209293.X
(22)申请日2023.09.19
(71)申请人中国人民解放军国防科技大学
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