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- 2023-12-13 发布于四川
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一种半导体装置,包括一栅极堆叠,具有一金属栅极层。半导体装置也包括侧壁间隔件,设置于栅极堆叠的两相对侧壁上。半导体装置还包括一U型硬式掩模层,设置于侧壁间隔件上及栅极堆叠上。U型硬式掩模层的顶部的第一宽度大于U型硬式掩模层的底部的一第二宽度。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220172138U
(45)授权公告日2023.12.12
(21)申请号202321316911.6
(22)申请日2023.05.26
(30)优先权数据
17/804,1462022
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