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本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及基于8T‑SRAM和电流镜的存内计算电路。本发明包括存储部、存内计算部、传输控制部、电流镜部、反相器部、关断控制部。本发明一方面将1bit权重存储在8T‑SRAM单元内，另一方面将5bit带符号数分为1bit符号位和4bit无符号数两部分、并分别输入到8T‑SRAM单元、传输控制部，从而在近存内计算的方式下实现5bit带符号数与1bit权重相乘及同或累加。本发明没有引入电容等非线性器件，可以保证计算结果精度，避免单元面积变大。本发明采用电流镜复制参考电流
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117219140A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202311451934.2G11C8/08(2006.01)
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