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本发明公开了一种横向穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，器件包括：碳化硅衬底层；碳化硅外延层；场绝缘区，均匀分布于碳化硅外延层之上；缓冲区，分布于碳化硅外延层之内，场绝缘区之间及两侧；发射区，位于缓冲区之内；阳极，位于发射区一端的端部发射区之上；阴极，位于发射区另一端的端部发射区之上以及若干个中间发射区之上。本发明提供一种横向穿通型SiC‑TVS器件，通过在不同发射区之间增加场绝缘区的方法，避免了器件工作时载流子聚集击穿碳化硅外延层表面氧化层，导致阳极与阴极之间短路的问题，增加了器件的可靠性和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117219657A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202311470662.0H01L21/329(2006.01)
(22)申请日2023.11
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