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本发明公开一种增加JFET区源极接触的埋沟U槽碳化硅VDMOSFET结构，包括JFET区顶端具有肖特基结，肖特基结上方淀积有金属2，多晶硅(G极)外围包覆有绝缘隔离性的氧化层，多晶硅(G极)表面与金属2之间通过氧化层隔离，碳化硅外延层表面还刻蚀形成有一U槽，U槽开口向上并贯穿N‑SOURCE区下方并深入至Pwell区内，U槽上方连通形成有埋沟，U槽上方氧化层一体化并淀积入埋沟内，U槽内淀积有金属1能够与N‑SOURCE区及Pwell区同时形成欧姆接触，既能实现减少栅极覆盖面接在电容上降低器件的C
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117219669A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202311137156.X
(22)申请日2023.09.05
(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司
地
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