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本申请公开了一种改进型集成式LED芯片结构及制作方法，包括生长衬底；层状外延结构，其包括外延结构一和外延结构二2‑3，且二者之间以绝缘层进行隔离；外延结构一和外延结构二2‑3从下至上均包括负极性层、量子阱发光层和正极性层；透明导电层；第一绝缘层；第一扩展电极；反射绝缘层；第二扩展电极；MicroLED芯片；第二绝缘层；焊线电极；本申请通过对芯片结构的重新设计和布局以及提供相应的制作工艺方法，由原先的单层外延结构和两次转移的加工工艺变为采用双层外延结构和单次转移的加工工艺，降低转移带来的可靠性风
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117219716A
(43)申请公布日2023.12.12
(21)申请号202311483262.3
(22)申请日2023.11.09
(71)申请人昆山麦沄显示技术
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