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- 2023-12-16 发布于四川
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本公开提供一种硅基调制器产生高边带抑制比单边带信号的方法及系统，基于硅基调制器的第一调制电压及第二调制电压，调制产生单边带信号，并将所述单边带信号传输至光学监测模块。基于所述光学监测模块对单边带信号抑制比进行监测，并确定所述单边带信号抑制比是否满足预设抑制比；若不满足，则基于所述光学监测模块发送调制指令至所述电信号发生模块，基于所述电信号发生模块根据所述单边带信号抑制比，继续调节所述第一调制电压或第二调制电压，直至所述单边带信号抑制比满足所述预设抑制比。本公开提供的方法及系统能够有效提高硅基调制
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115242310A
(43)申请公布日2022.10.25
(21)申请号202210770058.9
(22)申请日2022.07.01
(71)申请人浙江大学
地址310027浙江
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