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本发明提供了一种人工耳蜗的植入电极结构制备方法、植入电极结构及设备。本发明提供的人工耳蜗的植入电极结构制备方法，包括：在移植玻璃表面上涂覆水溶性牺牲材料，在水溶性牺牲材料上喷涂硅基粘胶，在硅基粘胶上放置预设电极；在溶性牺牲材料上添加硅胶，使硅胶将预设电极完全覆盖，形成硅胶层，在硅胶层远离移植玻璃的一面上放置第二掩膜层；烧蚀过孔并切割掩膜图案，形成沉积孔和沉积槽，沉积可拉伸导体；移除第二掩膜层，重新添加硅胶，重新添加的硅胶与硅胶层形成封装结构，对封装结构进行切割并溶解水溶性牺牲材料，得到植入电极结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117224836A
(43)申请公布日2023.12.15
(21)申请号202311028669.7A61L27/10(2006.01)
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