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一种半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，其包括如下工序：基板形成工序(a)，形成依次含有第1绝缘树脂层、至少包含硅化合物的脱模层和厚度为1μm～5μm的极薄铜箔的电路形成用支撑基板；第1布线导体形成工序(b)，在电路形成用支撑基板的极薄铜箔上通过图形电镀铜形成第1布线导体；层叠工序(c)，以与第1布线导体接触的方式配置第2绝缘树脂层，将第2绝缘树脂层进行加热加压并层叠；第2布线导体形成工序(d)，在第2绝缘树脂层中形成到达第1布线导体的非贯通孔，使非贯通孔的内壁通过电镀铜和/或化学镀铜连接，形
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117241501A
(43)申请公布日2023.12.15
(21)申请号202311281435.3(51)Int.Cl.
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