原创力文档- 0
- 0
- 约1.37万字
- 约 12页
- 2023-12-16 发布于四川
- 举报
本申请公开了一种图像传感器及电子设备，本申请公开的图像传感器包括电路连接层、光学结构层以及位于电路连接层和光学结构层之间的半导体结构层，通过在光学结构层中设置包括阵列设置且具有第一高度的第一微结构及阵列设置且具有第二高度的第二微结构的微结构阵列，其中，第一高度大于或等于第二高度，且所述第一微结构和所述第二微结构均用于延长所述入射光的光程，从而在入射光穿过光学结构层进入半导体结构层之前增加入射光反射和散射的次数，使入射光的光程增加，进而使半导体结构层中感光元件接收更多入射光，进而提升图像传感器对入
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220189652U
(45)授权公告日2023.12.15
(21)申请号202321637387.2
(22)申请日2023.06.26
(73)专利权人思特威（上海）电子科技股份有限
文档评论（0）