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一种优化碳化硅MOSFET自对准工艺的方法.pdfVIP

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  • 2023-12-16 发布于四川
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一种优化碳化硅MOSFET自对准工艺的方法.pdf

    本发明公开了一种优化碳化硅MOSFET自对准工艺的方法，该方法仅通过使用一层P阱光罩刻蚀出第一离子注入区域，以用于形成P阱；再通过沉积、刻蚀等工艺在第一离子注入区域内形成第二离子注入区域，以用于形成叠层的NPlus区域和PPlus区域；最后通过刻蚀出深度大于所述NPlus区域深度且小于所述PPlus区域深度的沟槽，以在碳化硅基底上形成对应的PN结。该方法在形成所述P阱、NPlus区域和PPlus区域的过程中仅用了一层光罩，从而减少两次薄膜沉积、涂胶、曝光、显影、去胶等工艺，如此，极大地缩短加工周

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111653484A

    (43)申请公布日

    2020.09.11

    (21)申请号20201

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