异质结完整分.pptVIP

§2.3半导体异质结半导体异质结：由两种性质（带隙宽度）不同的半导体材料，通过一定的生长方法所形成的结。一、突变异质结（pN）1、pN结的形成与能带图窄带隙的p型半导体与宽带隙的N型半导体生长一起时，界面处出现了载流子的浓度差，于是N中的电子向p中扩散，相反，p中的空穴也会向N中扩散，在界面形成空间电荷区。§2.3半导体异质结1960年，Anderson用能带论分析了pN结的形成与有关问题，直观而深刻，并得到一些十分有用的结论，称为Anderson模型。如Fig2.01（a）平衡前的能带图；（b）是平衡时的能带图。在作图时，先以真空能级为参考能级画出各自的能带图；再保持费米能级低的一侧不动，使费米能级高的一侧下移与其相平，即真空能级及能带向下弯曲，而且有其他量，如功函数φ，亲和势χ，激活能δ保持不变。§2.3半导体异质结§2.3半导体异质结2、内建电势及耗尽层宽度从上面的分析可以看出，能带弯曲的程度取决于内建电势的大小，即对于p型半导体有对于N型半导体有于是得到即内建电势取决于两种半导体载流子浓度的比值。具体到pN结，取决于N型半导体中的多子（电子）与p型中的少子（电子）浓度比。§2.3半导体异质结根据《半导体物理》的结论，p区和N区各自的内建电势分别是若近似认为，正负电荷在耗尽层是均匀分布的，