基于OOMMF的SOT器件的性能模拟.docxVIP

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2023-12-21 发布于湖南
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基于OOMMF的SOT器件的性能模拟

摘要

随着移动设备、物联网、大数据、人工智能的兴起，人们对高速、低功耗的信息存储技术的需求日益增加。其中，磁记录技术作为信息存储的重要手段拥有着巨大并且广泛的应用前景。特别是磁性随机存储器，即MRAM，以其重复无限次地写入、非易失性、高速读写、高集成度以及抗辐射能力强的优点成为了存储器市场的重要发展方向。其中SOT-MRAM作为第三代MRAM，克服了第一代MRAM集成方面的技术瓶颈和第二代STT-MRAM由于初始延迟而导致无法高速缓存的缺点，成为了最有前景的研究方向。但是关于SOT-MARM的研究目前大多都是实