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半导体发光元件.pdfVIP

半导体发光元件.pdf

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    本发明提供了一种半导体发光元件，所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、填平层、改善ESD的p型掺杂层、n型掺杂层和第一非故意掺杂层交替生长形成的周期性结构、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，在周期性结构的每个周期中，p型掺杂层靠近衬底，第一非故意掺杂层靠近n型半导体层，n型掺杂层位于p型掺杂层和第一非故意掺杂层之间。本发明通过周期性结构的设置可以提高半导体发光元件的抗静电能力。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117253951A

    (43)申请公布日2023.12.19

    (21)申请号202311460294.1

    (22)申请日2023.11.03

    (71)申请人厦门士兰明镓化合物半导体有限公

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