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本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法。其中，在制造过程中，巧妙地利用蚀刻终止层在第一电极侧面形成一阶梯形状并暴露出第一电极的侧面；然后，在形成电阻转变层时，使电阻转变层覆盖在第一电极的侧面及上方，如此形成至少一个夹角结构；之后，在电阻转变层之上制备阻氧层等其他间质层，形成第一电极和第二电极之间的阻变材料层；在阻变材料层制备完毕后，可在其上形成绝缘层并在绝缘层中位于夹角结构上方、与第一电极相对的位置刻孔形成孔洞，并在孔洞内制备第二电极，使第一电极和第二电极在夹角结构处相对，以形成最大电场
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111640863A
(43)申请公布日
2020.09.08
(21)申请号20201
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