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一种半导体结构及其制造方法.pdfVIP

一种半导体结构及其制造方法.pdf

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    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底、第一栅极结构、第二栅极结构和覆盖层。基底包括分立的半导体通道，半导体通道设置于基底的顶部且沿竖直方向延伸。第一栅极结构设置于半导体通道的第一区域且环绕半导体通道。第二栅极结构设置于半导体通道的第二区域，包括环结构和至少一个桥结构，其中，环结构环绕半导体通道，至少一个桥结构贯穿半导体通道，且沿贯穿方向延伸至环结构的内壁。覆盖层位于相邻的半导体通道之间的间隔区域。覆盖层包括沿竖直方向延伸的第一连通孔，半导体通道的顶部以及靠近顶部的部

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117253908A

    (43)申请公布日2023.12.19

    (21)申请号202210644481.4

    (22)申请日2022.06.08

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

    地址23

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