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2023-12-20 发布于四川
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本申请提供了一种半导体器件及电子设备，其中，半导体器件包括衬底和多个结构单元，多个结构单元均设于衬底的一侧；每个结构单元包括源极、漏极、鳍部和栅极，每个结构单元的源极均相连，每个结构单元的漏极均相连，每个结构单元的栅极均相连；每个结构单元中：源极和漏极在衬底的投影分别位于栅极在衬底的投影的两侧，鳍部设于衬底上，鳍部在衬底的投影位于栅极在衬底的投影范围内；多个结构单元中的第一结构单元的鳍部与第二结构单元的鳍部的尺寸不同。本申请能够增加半导体器件的跨导级数。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117253890A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202210644648.7

(22)申请日2022.06.09

(71)申请人华为技术有限公司

地址5181

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