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2023-12-20 发布于四川
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一种半导体结构及其制造方法.pdf

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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底、介质层、第一栅极结构和第二栅极结构。基底包括分立的半导体通道，半导体通道设置于基底的顶部且沿竖直方向延伸。第一栅极结构设置于半导体通道的第一区域且环绕半导体通道。第二栅极结构设置于半导体通道的第二区域，包括环结构和至少一个桥结构；环结构环绕半导体通道，至少一个桥结构贯穿半导体通道，且沿贯穿方向延伸至环结构的内壁。介质层位于第一栅极结构和半导体通道之间，以及第二栅极结构和半导体通道之间。本公开实施例能够提高半导体结构整体的电学性能

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117253910A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202210645117.XH01L21/336(2006.01)

(22)申请日2022.06

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