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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底、介质层、栅极结构和覆盖层。基底包括分立的半导体柱，半导体柱设置于基底的顶部，且沿竖直方向延伸。介质层覆盖半导体柱的侧壁。栅极结构设置于半导体柱的中部区域。栅极结构包括环栅结构，环栅结构环绕半导体柱。介质层的第一部分位于栅极结构和半导体柱之间。覆盖层覆盖半导体柱的顶部以及靠近顶部的部分侧壁。覆盖层的材料包括含硼化合物。本公开实施例能够提高半导体结构整体的电学性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117255557A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202210645321.1
(22)申请日2022.06.08
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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