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深沟槽隔离结构及其制造方法.pdfVIP

深沟槽隔离结构及其制造方法.pdf

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    本发明涉及一种深沟槽隔离结构及其制造方法，所述制造方法包括：在衬底中形成深沟槽；向所述深沟槽中淀积介电层，所述介电层覆盖所述深沟槽的内壁并将所述深沟槽封口；在所述衬底上形成层间介质层；光刻并刻蚀所述层间介质层形成向下延伸至所述深沟槽的通孔，然后继续向下刻蚀所述介电层，将被封口的介电层刻开并将深沟槽底部的介电层刻蚀去除从而露出深沟槽底部的所述衬底；向所述通孔和深沟槽内填充导电材料，所述导电材料在所述深沟槽底部与露出的衬底直接接触，从而将所述衬底从所述通孔的顶部引出。本发明能够将深槽底部的衬底引出，

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117253845A

    (43)申请公布日2023.12.19

    (21)申请号202210651085.4

    (22)申请日2022.06.10

    (71)申请人无锡华润上华科技有限公司

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