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本发明提出一种微环相变突触器件及其三维空间光调制方法、装置，微环相变突触器件包括衬底、直波导和环形波导，所述环形波导位于直波导的一侧，所述环形波导与直波导之间具有耦合距离，在所述环形波导的至少一处覆盖有相变层，所述相变层的相变材料为Ge2Sb2Te5。通过三维空间光调制微环相变突触器件其相变材料的晶化状态，实现通过光纤直接从顶部照射相变材料的方式对器件进行加热调制，使微环相变突触器件的状态实现切换。与电调相比，本发明大大优化了测试结构。与波导光调制方法相比，利用三维空间光调制方法对相变材料进行调
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117250777A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202311216246.8
(22)申请日2023.09.20
(71)申请人中国人民解放军国
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