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本发明公开了一种基于type‑Ⅱ隧道结的GaAs基高速垂直腔面发射激光器，属于激光技术领域。其将GaAs基type‑Ⅱ高带隙隧道结和双氧化层组用于高速垂直腔面发射激光器，type‑Ⅱ高带隙隧道结做转化层，连接第二反射镜和第三反射镜，使转化层上方可以用N型的第三反射镜取代P型的第二反射镜，降低寄生电阻，提高寄生截至带宽；在有源层上下分别设置氧化限制层组，提高对电流的限制，优化了电流注入效率，提高了器件的输出功率和转化效率，适用于GaAs基面发射激光器。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115036789A
(43)申请公布日2022.09.09
(21)申请号202210629622.5
(22)申请日2022.06.06
(71)申请人深圳技术大学
地址518118
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