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2023-12-20 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供衬底；于衬底中分别形成屏蔽沟槽和目标沟槽；屏蔽沟槽的宽度大于目标沟槽的宽度；形成填充屏蔽沟槽和目标沟槽并覆盖衬底表面的功能材料层；位于屏蔽沟槽之上的功能材料层中对应具有第一凹槽；形成填充第一凹槽的牺牲层；对牺牲层以及功能材料层执行第一型刻蚀，以去除牺牲层并使得功能材料层保留于屏蔽沟槽之上的部分与其保留于目标沟槽之上的部分形成高度差；其中，第一型刻蚀对功能材料层的刻蚀速率大于第一型刻蚀对牺牲层的刻蚀速率。本申请所提供的方法通过对制备工艺的优化，

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117253783A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202311508497.3

(22)申请日2023.11.14

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

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