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本文提供多种形成具有减少的源极/漏极接触电阻的纳米片场效应晶体管(FET)器件的方法。一些实施方式中，一种形成FET器件的法包括：蚀刻该纳米片FET器件的纳米片堆叠，而形成多个第一源极/漏极区域以及多个第二源极/漏极区域，该纳米片堆叠包括多个纳米片沟道层与多个牺牲纳米片层的交替层；经由选择性硅化工艺，在所述纳米片沟道层的端部处于该多个第一源极/漏极区域中沉积硅化物层，以控制在所述第一源极/漏极区域之间的所述纳米片沟道层的长度；以及执行金属填充工艺，而填充该多个第一源极/漏极区域，其中该金属填充物
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117256050A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202280032510.X(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理
(22)申请日2022.05.
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