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本发明公开了一种氮化镓器件及其制造方法，该氮化镓器件包括：衬底；缓冲层，位于衬底上；沟槽层，位于缓冲层上；势垒层，位于沟槽层上，沟槽层与势垒层之间具有二维电子气；第一介质层，位于势垒层上；第一功率单元、第二功率单元，位于第一介质层内，第一功率单元和第二功率单元均与势垒层接触；隔离结构，隔离结构设置于第一功率单元与第二功率单元之间的第一介质层内，隔离结构用于耗尽第一功率单元与第二功率单元之间的二维电子气，以切断第一功率单元与第二功率单元之间的电子通道；其中，隔离结构包括P型氮化物层及栅极层，P型氮
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117276334A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311326867.1
(22)申请日2023.10.12
(71)申请人杭州富芯半导体有限公司
地址3
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