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本发明涉及分子电子器件技术领域，尤其涉及PDI自由基衍生物和石墨烯自旋场效应晶体管。PDI自由基衍生物包括如下结构式：，其中，当R2和R3为(CH2)nNH2时，R1为，R4为H或，其中，n为3、4、5或6；当R1和R4为(CH2)nNH2时，R2为，R3为H或，其中，n为3、4、5或6。该PDI自由基衍生物中具有稳定的自由基，使得PDI自由基衍生物具有独特的导电性、磁学性质和非线性光学性质，其与石墨烯自旋场效应晶体管中的磁性电极以及石墨烯点电极对配合可产生稳定的自旋电流，使得石墨烯自旋场效应晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117263937A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311365713.3H10K71/00(2023.01)
(22
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