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- 2023-12-23 发布于四川
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一种缺陷工程化中空介孔铜掺杂硫化锡纳米球的制备方法,它涉及缺陷工程化中空介孔纳米材料的制备方法。本发明要解决现有金属硫化物纳米粒子电子空穴对结合效率高,光响应及催化性能较差、催化剂形貌不均且尺寸较大的问题。方法:一、制备聚乙烯吡咯烷酮溶液;二、制备浅黄色氧化铜悬浮液;三、制备中空介孔硫化铜纳米球;四、制备缺陷工程化中空介孔铜掺杂硫化锡纳米球。本发明用于缺陷工程化中空介孔铜掺杂硫化锡纳米球的制备。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117263234A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311366779.4
(22)申请日2023.10.20
(71)申请人哈尔滨工程大学
地址15000
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