一种通过离子注入对石墨烯进行氮掺杂的方法.pdfVIP

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2023-12-23 发布于四川
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一种通过离子注入对石墨烯进行氮掺杂的方法.pdf

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本发明公开了一种通过离子注入对石墨烯进行氮掺杂的方法，涉及石墨烯掺杂技术领域，本发明包括S1准备一个衬底，使用剥离法把石墨烯材料进行剥离，获得单层石墨烯；S2制备得到复合薄膜；S3将制备好的薄膜材料，覆盖到有石墨烯的胶带上，PVA面和石墨烯直接接触，并进行加热处理；S4将薄膜从胶带上撕下，使石墨烯与SiO2接触；S5移除PDMS，并在水中加热溶解PVA，将石墨烯转移到衬底片上；S6进行氮化硅的沉积；S7在氮化硅上进行18‑28KeV的N离子模拟注入；S8去掉表面氮化硅层，得到n型石墨烯。本发明

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117276040A

(43)申请公布日2023.12.22

(21)申请号202311463333.3

(22)申请日2023.11.06

(71)申请人浙江芯科半导体有限公司

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