1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体器件及其制造方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约2.56万字
  • 约 29页
  • 2023-12-23 发布于四川
  • 举报

半导体器件及其制造方法.pdf

    提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：有源层，所述有源层竖向地堆叠在衬底之上；字线，所述字线在有源层之上沿与有源层交叉的方向延伸；位线，所述位线共同耦接至有源层的第一侧并且在与衬底垂直的方向上延伸；数据储存元件的储存节点，所述数据储存元件竖向地堆叠在衬底之上，并且分别耦接至有源层的第二侧；以及竖向隔离层，所述竖向隔离层包括设置在位线之间的气隙。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117279370A

    (43)申请公布日2023.12.22

    (21)申请号202310340339.5

    (22)申请日2023.03.31

    (30)优先权数据

    10-2022-0075050

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >