半导体物理学期末复习试题及答案一 .pdfVIP

一、选择题

1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量

（B）。

比绝缘体的大比绝缘体的小和绝缘体的相同

A.B.C.

2.受主杂质电离后向半导体提供（B），施主杂质电离后向半

导体提供（C），本征激发向半导体提供（A）。

电子和空穴空穴电子

A.B.C.

3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费

米能级会（B）。

上移下移不变

A.B.C.

4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为

常数，它和（B）有关

杂质浓度和温度温度和禁带宽度

A.B.

杂质浓度和禁带宽度杂质类型和温度

C.D.

5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型

（B）。

相同不同无关

A.B.C.

6.空穴是(B)。

带正电的质量为正的粒子带正电的质量为正的准粒子

A.B.

带正电的质量为负的准粒子带负电的质量为负的准粒子

C.D.

7.砷化稼的能带结构是（A）能隙结构。

直接间接

A.B.

8.将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（A）杂质作

用，若Si取代As则起（B）杂质作用。

施主受主陷阱复合中心

A.B.C.D.

9.在热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为

E

F

（D），当温度大于热力学温度零度时，能量比小的量

E

F

子态被电子占据的概率为（A）。

大于1/2小于1/2等于1/2等于1等于0

A.B.