基体调控与全有机复合制备高储能PVDF膜的结构与性能研究.pdf

摘要

摘要

储能材料作为一种广泛应用前景的功能材料，具有良好的储存电荷的功能。

薄膜电容器是一种重要的储能器件，已广泛应用于航空、航天、家电、交通、通

信等领域。为了获得优异的储能性能，用于薄膜电容器的介质材料的性能是至关

重要的。介质薄膜的能量密度较低是薄膜电容器储能密度使用的限制。因此，高

能量密度薄膜介电材料的开发与研究是该领域的核心热点与难点。众所周知，材

料的介电性质是影响储能密度的主要因素。电极化是电介质最基本的性质。电场

可以诱导电介质极化，并将电能储存在材料中以达到带电状态。在去除电场后，

电介质可以完全或部分恢复到原始状态，从而释放出所储存的电能。因此，介质

的极化能力和极化恢复能力决定了电容器的储能密度。在本论文中，我们采用聚

偏氟乙烯（Polyvinylidenefluoride，PVDF）作为基体材料，通过加工过程的影响

以及全有机复合两个方面来提升电介质材料的储能性能，主要的研究内容以及成

果如下：

（1）第2章节中，采用环境诱导的方式对PVDF粉末进行处理，通过在不

同的环境温度处理下，PVDF的结晶结构发生了明显的变化。实验设计中分别采

用了水相环境与甲醇环境分别对PVDF在不同温度下进行处理。FTIR与XRD测

试结果证明，在水相环境处理时，PVDF以非极性的α相为主，没有发生明显的

晶型转变。但是当PVDF通过甲醇环境在温度超过40℃处理时，晶型向极性的

β相转变。这也是两种环境处理放电能量密度不同的主要原因。另外，由于环境

处理过程中，水分子或甲醇分子与PVDF分子链的相互作用，使PVDF的结晶性

能受到了影响。通过DSC测试发现，处理后的PVDF在结晶行为上受到了限制，

结晶温度向低温区偏移，并且晶粒尺寸与未处理的PVDF相比明显减小。另外，

受到晶粒尺寸变化的影响，PVDF薄膜的介电行为以及储能性能得到了显著的改

善。未处理的PVDF对于频率的依赖性在环境处理后减弱，并且介电损耗明显下

降。由于晶粒尺寸的降低，导致PVDF偶极子翻转容易，因此处理后的PVDF薄

膜在放电能量密度以及效率上提升显著。

（2）在第3章中我们制备了线性甲基丙烯酸甲酯-共甲基丙烯酸缩水甘油酯

（MG）共聚物，以改善PVDF的介电和储能性能。FTIR光谱和XRD结果显示，

MG的引入诱发了PVDF的晶型转变。偏光显微镜和DSC测试证明，复合材料

中的PVDF晶粒尺寸减小，结晶度降低。MG的引入降低了PVDF的介电常数，

抑制了介电和导电损耗。复合材料显示出更高的击穿强度，PVDF的击穿强度从

300MV/m增加到PVDF/MG-40%复合材料的540MV/m。虽然MG的极性较弱，

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但互补的击穿强度赋予了PVDF/MG复合材料良好的放电能量密度和效率。放电

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能量密度从PVDF的3.75J/cm增加到PVDF/MG-40%复合材料的9.2J/cm。同

时，即使在540MV/m的电场下，PVDF/MG-40%的复合材料仍然保持84%的高

效率。这项研究为全有机复合膜提供了一个可行的设计思路。更重要的是，MG

共聚物上的环氧基团的反应活性可以被利用到以后的性能上通过调节策略优化

PVDF/MG电介质薄膜。

（3）在第4章中，通过MMA-co-GMA（MG）共聚物和氰乙基化纤维素

（CyanoethylCellulose，CR-C）的协同作用，制备了具有高Ue和η的PVDF复

合电介质材料。根据第3章节的内容，MG与PVDF共混后，MG的线性结构和

与环氧基团的氢键作用，降低了PVDF的介电损耗并提高了复合薄膜的η。为了

进一步提高电介质薄膜的U，氰乙基纤维素（CR-C）作为第三种成分被添加到

e

PVDF复合基体中以提高Ue以及击穿强度。PVDF/MG和CR-C之间的氢键