薄膜沉积设备篇，工艺升级提升薄膜设备需求，国内厂商差异化布局加速国产化进程.docxVIP

一、薄膜沉积是芯片制造的关键工艺，薄膜种类多与工艺复杂性构筑高壁垒

1、芯片是由数层薄膜堆叠而成，薄膜沉积是芯片前道制造中的“加法工艺”

芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的3D结构，薄膜沉积是芯片前道制造的核心工艺之一。从芯片截取横截面来看，芯片是由一层层纳米级元件堆叠而成，所有有源电路元件(例如晶体管、存储单元等)集中在芯片底部，另外的部分由上层的铝/铜互连形成的金属层及各层金属之间的绝缘介质层组成。芯片前道制造工艺包括氧化扩散、薄膜沉积、涂胶显影、光刻、离子注入、刻蚀、清洗、检测等，薄膜沉积是其中的核心工艺之一，作用是在晶圆表面通过物理/化学方法交替堆叠SiO?、SiN等绝缘介质薄膜和Al、Cu等金属导电膜等，在这些薄膜上可以进行掩膜版图形转移(光刻)、刻蚀等工艺，最终形成各层电路结构。由于制造工艺中需要薄膜沉积技术在晶圆上重复

堆叠薄膜，因此薄膜沉积技术可视为前道制造中的“加法工艺”。

图1:芯片制造所需的工艺步骤

光刻

尤掩模版

光刻胶

涂胶

晶圆

晶圆切片

金属

封装

去胶

ASML,

加热

烘干显影

刻蚀

离子注入

图2:芯片剖面图

拓荆科技IPO路演材料，

薄膜沉积是决定薄膜性能的关键，相关工艺和设备壁垒很高。芯片制造的关键在于将电路图形转移到薄膜上这一过程，薄膜的性能除了与沉积材料有关，最主要受到薄膜沉积工艺的影响。薄膜沉积工艺/设备壁垒很高，主要来自：第一，芯片由不同模块工艺集成，薄膜沉积是大多数模块工艺的关键步骤，薄膜本身在不同模块/器件中的性能要求繁多且差异化明显；第二，薄膜沉积工艺需要满足不同薄膜性能要求，新材料出现或器件结构的改变要求不断研发新的工艺或设备；第三，更严格的热预算要求更低温的生长工艺，薄膜性能不断提升要求设备具备更好集成度，另外，沉积过程还要考虑沉积速率、环境污染等指标。下面几节，我们从薄膜种类与应用、芯片制造模块工艺、性能

指标等角度来阐释薄膜沉积的高壁垒。

2、薄膜主要分为半导体、介质、金属三大类，薄膜种类针对不同场景有不同侧重

常见的薄膜主要分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大类，特点在于沉积材料与不同场景下应用的复杂多样，

并且材料的进步伴随制程等的演变，推动薄膜沉积工艺/设备不断研发。

1)半导体薄膜：应用范围有限，主要用于制备源/漏极的沟道区、单晶外延层和MOS栅极等。分为单晶硅、多晶硅、非晶硅等，其中多晶硅(Poly-Si)主要用于MOS的栅极等，单晶硅一般采用外延法制备，在单晶表面生长出完全

排列有序的单晶体层，非晶硅/锗硅(α-Si/SiGe)主要用于光伏领域和填充半导体前段工艺源/漏的沟道区。

2)介质薄膜：应用范围最广泛，主要用于前段的浅槽隔离、栅氧化层、侧墙、阻挡层、金属层前介质层，后段的金

属层间介质层、刻蚀停止层、阻挡层、抗反射层、钝化层等，也可以用于硬掩膜。介质薄膜是一类具备绝缘性质的

薄膜，主要用来掩蔽芯片任何器件/金属间杂质相互扩散，因此应用范围最为广泛。介质薄膜沉积主要需要考虑薄膜

厚度、台阶覆盖率、致密性等。最常见的介质薄膜包括氧化硅、氮化硅、低/高介电常数材料等。

①掺杂的/不掺杂的SiO?:应用最广泛的介质薄膜，最主要用于浅槽隔离(ShallowTrenchIsolation,STI)、多晶硅栅的栅氧化层与侧墙、层间介质层、阻挡层、硬掩膜等。由于Si元素丰富且SiO2拥有高熔点，允许更宽的工作温度范围，因此SiO?应用最广泛。沉积过程中，SiO?要求足够薄，防止应力作用产生裂纹，同时要满足一定台阶

覆盖率要求，尤其是在电极引线和元件互连时的覆盖率。SiO?可以通入硅烷与氧气制备，也可以通入TEOS

(Si(OC?Hs)4,四乙氧基硅烷)与氧气/臭氧制备，TEOS-SiO?的薄膜性能更好；而在SiO2中掺入杂质可以形成例如

对特定离子更好的隔离效果、使薄膜具备更好的填孔能力等特性，常见的如在SiO?中掺入磷杂质形成磷硅玻璃

(Phospho-silicateGlass,PSG)或者同时掺入磷杂质和硼杂质形成硼磷硅玻璃(Boro-phospho-silicateGlass,

BPSG),一般用于金属前介质层(Pre-metaldielectric,PMD);也可以掺入N元素形成氮氧化物，可用于栅氧化

层、硬掩膜、抗反射涂层等；

②SiN/Si?N?:绝缘性能好，用于钝化层、刻蚀停止层、硬掩膜、侧墙等工艺。Si3N4的特点是相较SiO2的结构更致密、化学稳定性高，因此更适合用