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薄膜制备技术_图文.ppt;半导体器件

电路连接

电极

光探测器件

半导体激光器

光学镀膜;所生长的材料以物理方式由固体转化为气体；

生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底；

蒸汽在衬底表明上凝结，形成薄膜。;“物理吸附”:约束能0.434eV/atom(10cal/mol)

比外延生长速率快很多

衬底与薄膜材料不一定要有联系

厚度范围:

典型薄膜：~nm─~103nm

也可以生长更厚的膜

;超薄膜: ~10nm

薄膜: 50nm─1mm

中间范围:

1mm─~10mm

厚膜:

~10mm─~100mm;生长机制和技术

薄膜成分

缺陷与位错

表面形态

薄膜中的扩散现象

界面的性质

应力引起的应变

物理性质（电学、光学、机械等）;单层膜

周期结构多层膜;;高真空(HV)

高纯材料

清洁和光滑的衬底表面

提供能量的能源;1Torr=133Pa；1Pa=7.5mTorr;Pressure(Torr);;;;;例：应变自组装纳米量子点(线)结构材料的制备是利用SK生长模式。

它描述具有较大晶格失配，而界面能较小的异质结构材料生长行为。SK生长模式的机制如下：

（1）对于晶格常数相差较大的材料系统，在外延生长初期外延层材料在衬底表面上呈稳定平面(层)状生长。由于外延层厚度很薄，故它与衬底晶体之间的晶格失